Транзистор был изобретен в 1948 г. в лабораториях фирмы BELL (США) американцами У.
Шокли, У. Браттейном и Дж. Бардином.
Транзистор представляет собой полупроводниковый
прибор, использующийся для усиления, генерирования и преобразования электрических коле-
баний. Он выполнен на основе монокристаллического полупроводника (преимущественно Si
или Ge), содержит не менее трех областей с различной (электронной (n) и дырочной (p)) про-
водимостью. Хотя и существует большая разновидность типов, в зависимости от особенностей
функционирования, транзисторы могут быть разделены на две основные категории — биполяр-
ные транзисторы и однополярные (полевые, FET) транзисторы. Относительно недавно были
разработанны IGBT-транзисторы, которые прдставляют собой комбинацию из биполярного и
полевого транзитора.
Биполярный транзистор — полупроводник, состоящий из трех областей с чередующимися
типами электропроводности. Его используют в электронике для усиления электрической мощ-
ности. В биполярных транзисторах ток определяется движением носителей заряда двух типов:
электронов и дырок (отсюда их название — биполярные транзисторы). В транзисторах этого
типа с помощью трехслойной полупроводниковой структуры из полупроводников различной
электропроводности создаются два p-n перехода с чередующимися типами электропроводности.
Таким образом, биполярные транзисторы могут быть подразделены на два типа: p-n-p и n-p-n.
Один из крайних слоев с высокой концентрацией примесей, а, следовательно, и основных
носителей заряда, называется эмиттером, он главным образом и создает ток транзистора. Другой
крайний слой с несколько меньшей концентрацией основных носителей заряда называется кол-
лектором и служит для приема носителей заряда, поступающих от эмиттера. Между эмиттером и
коллектором находится база — тонкий слой полупроводника, обедненного носителями заряда, с
помощью которого осуществляется необходимое смещение обоих p-n переходов и через который
существует сквозной ток от эмиттера к коллектору. Для описания полевых транзисторов часто
используют аббревиатуру FET (Field Effect Transistor).
Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате
действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом.
